APEC: Putere SiC și instrumente avansate de putere cloud

Capacitățile de căutare au fost îmbunătățite și există un meniu în stil carusel care vă permite să selectați dispozitive și plăci compatibile, spune compania: „Inginerii pot restrânge opțiunile pentru componente viabile și soluții de sistem și pot avea încredere în performanța sistemului înainte de a începe. căutări hardware și finalizarea designului lor "

Demonstrațiile la APEC includ un demonstrator PFC (corecție a factorului de putere) trifazat de carbură de siliciu (SiC) de 11 kV (100 kHz), construit în jurul Mosfet Onh ​​​​NVHL080N120SC1 SiC (1200 V, >30A, ~80 mOhm, TO247) și un Driver de poartă NCP51705 - care include o pompă de încărcare pentru a crea o polarizare negativă care oprește SiC Mosfet.

Pe podea eFuse

De asemenea, vor fi expuse eFuse, „senzori pasivi inteligenți” pentru automatizarea industrială, o soluție USB-PD de înaltă densitate (livrare a energiei), bucla de feedback activă a clemei și module de alimentare ale driverului motorului.

Pentru a promova Strata, va fi prezentată o lucrare cu titlul ambițios „Satisfying a Designer’s Want List Under Pressure with All the Tools You Need in One Toolbox” (19 martie, 13:30, Sala 303AB).

O altă prezentare: „Caracteristici, fiabilitate și producție în modern